Phase Control Thyristor (Uri ng Alloying)

Paglalarawan:

Ang Thyristor, na kilala rin bilang Silicon Control Rectifier (SCR), ay isang high-power na semiconductor device na binubuo ng tatlong PN structures.Sa mga tuntunin ng pagganap, ang thyristor ay hindi lamang may unidirectional conductivity, ngunit mayroon ding mas mahalagang controllability kaysa sa silicon rectifier element, na dalawang estado lamang ng conduction at off-state, upang makontrol ang malaking kapangyarihan na may maliit na kapangyarihan, power amplification hanggang sa daan-daang o libu-libong beses.Ang reaksyon ay napakabilis, pag-on at off sa loob ng micro-segundo.Non-contact na operasyon, walang spark, walang ingay, habang mataas ang kahusayan at mababang gastos.Samakatuwid, lalo na sa high power supply system, ang thyristor ay malawakang ginagamit sa rectifier circuit, static bypass switch, contact-free output switch at iba pang mga circuit.

Ang thyristor manufacturing standard at processing technology ng RUNAU Electronics ay ipinakilala mula sa USA mula noong 1980s, bilang isang pioneer ng manufacturing thyristor sa China, nakuha ng technical team ng RUNAU ang cutting-edge na kaalaman at sapat na karanasan sa pagmamanupaktura sa loob ng higit sa 30 taon.Sa basic ng tradisyonal na proseso ng pagmamanupaktura, ang mga talent technician ng RUNAU Electronics ay nakabuo ng art-of-state na teknolohiya sa pagmamanupaktura ng thyristor na may mga tampok na kalamangan ng mga produktong European, ang kalidad at pagganap ay lubos na napabuti, mas malaking panalo ang nakamit sa paggamit ng power electronics field, at higit na halaga ang ginawa para sa mga kasosyo.

Panimula:

1. Chip

Ang thyristor chip na ginawa ng RUNAU Electronics ay sintered alloying technology na ginagamit.Ang silicon at molibdenum wafer ay sintered para sa alloying ng purong aluminyo (99.999%) sa ilalim ng mataas na vacuum at mataas na temperatura na kapaligiran.Ang pangangasiwa ng mga katangian ng sintering ay ang pangunahing salik na makakaapekto sa kalidad ng thyristor.Ang kaalaman ng RUNAU Electronics bilang karagdagan sa pamamahala sa lalim ng junction ng haluang metal, flatness sa ibabaw, cavity ng haluang metal pati na rin ang buong diffusion skill, center gate, pattern ng ring circle ay inilapat upang paganahin ang maaasahan at mataas na mahusay na pagpapatakbo ng pagpapadaloy ng thyristor, upang tiyakin ang mataas na kalidad ng pagganap.

2. Encapsulation

Sa pamamagitan ng mahigpit na pagkontrol sa flatness at parallelism ng molibdenum wafer at panlabas na pakete, ang chip at molibdenum na wafer ay isasama sa panlabas na pakete nang mahigpit at ganap.Ang nasabing ay i-optimize ang paglaban ng kasalukuyang surge at mataas na kasalukuyang short circuit.At ang pagsukat ng teknolohiya ng pagsingaw ng elektron ay ginamit upang lumikha ng isang makapal na aluminyo na pelikula sa ibabaw ng silikon na wafer, at ang ruthenium layer na naka-plated sa ibabaw ng molibdenum ay magpapahusay sa thermal fatigue resistance nang malaki, ang oras ng buhay ng trabaho ng thyristor ay tataas nang malaki.

Teknikal na pagtutukoy

1. Phase controlled thyristor na may alloy type chip na gawa ng RUNAU Electronics, range of I_TAVmula 300A hanggang 6000A at V_DRM/V_RRMmula 800V hanggang 4400V.
2. I_GT, V_GTat ako_Hay ang mga halaga ng pagsubok sa 25 ℃, maliban kung nakasaad, ang lahat ng iba pang mga parameter ay ang mga halaga ng pagsubok sa ilalim ng T_jm;
3. I²t=ako²F SM×tw/2, tw= Sinusoidal half wave kasalukuyang lapad ng base.Sa 50Hz, I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. Sa 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;ako²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parameter: