Ang bagong uri ng simulation design platform ng power semiconductor device ay itinatag sa Runau kamakailan.Sa tulong ng advanced na simulation platform at pinagsamang pagsubok at pagsusuri, ang malalim na pagsasaliksik sa istruktura ng device at kaugnay na pangunahing teorya ay natupad nang mabunga.Ang leverage ng cutting-edge theory at research platform ay nagpaunlad at nakabisado ng kumpanya sa pangunahing teknolohiya sa pagpoproseso ng 5” thyristor chip, GTO at IGCT.Isang buong prosesong kakayahan sa paggawa ng thyristor, rectifier diode, schottky module, IGCT, IGBT, high-voltage at high-current thyristor, pati na rin sa pagbuo ng pilot test platform para sa mga ultra-fast recovery diode, lahat ay matagumpay na magagamit sa Runau.Isang karagdagang matatag na hakbang upang bumuo ng base ng paggawa ng power electronics device sa China, papunta na kami.