Ang mga normatibong sanggunian na inilapat ng Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co sa paggawa ng welding diode ay nasa sumusunod:
1. GB/T 4023—1997 Mga Discrete na Device Ng Mga Semiconductor Device At Integrated Circuit Part 2: Rectifier Diodes
2. GB/T 4937—1995 Mechanical At Climatic Test Methods Para sa Semiconductor Devices
3. JB/T 2423—1999 Power Semiconductor Devices – Paraan ng Pagmomodelo
4. JB/T 4277—1996 Power Semiconductor Device Packaging
5. JB/T 7624—1994 Paraan ng Pagsubok sa Rectifier Diode
Modelo At Sukat
1. Pangalan ng modelo: Ang modelo ng welding diode ay tumutukoy sa mga regulasyon ng JB/T 2423-1999, at ang kahulugan ng bawat bahagi ng modelo ay ipinapakita sa Figure 1 sa ibaba:
2. Mga graphical na simbolo at terminal (sub) na pagkakakilanlan
Ang mga graphical na simbolo at pagkakakilanlan ng terminal ay ipinapakita sa Figure 2, ang arrow ay tumuturo sa terminal ng cathode.
3. Hugis at mga sukat ng pag-install
Ang hugis ng welded diode ay matambok at uri ng disc, at ang hugis na may sukat ay dapat matugunan ang mga kinakailangan ng Figure 3 at Talahanayan 1.
| item | Dimensyon (mm) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Cathode flange (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Cathode at anode Mesa(D1) | 44±0.2 | 57±0.2 | 68±0.2 |
| Max diameter ng ceramic ring(D2max) | 55.5 | 71.5 | 90 |
| Kabuuang kapal (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
| I-mount ang butas sa posisyon | Diameter ng butas：φ3.5±0.2mm，Lalim ng butas: 1.5±0.3mm | ||
Mga rating at katangian
1. Antas ng parameter
Ang serye ng reverse repetitive peak voltage (VRRM) ay tulad ng tinukoy sa Talahanayan 2
Talahanayan 2 Antas ng Boltahe
| VRRM（V） | 200 | 400 |
| Antas | 02 | 04 |
2. Limitahan ang mga halaga
Ang mga halaga ng limitasyon ay dapat sumunod sa Talahanayan 3 at ilalapat sa buong hanay ng temperatura ng pagpapatakbo.
Talahanayan 3 Halaga ng Limitasyon
| Limitahan ang Halaga | Simbolo | Yunit | Halaga | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Temperatura ng kaso | Tcase | ℃ | -40～85 | |||
| Katumbas na temperatura ng junction (max) | T（vj） | ℃ | 170 | |||
| Temperatura ng imbakan | Tstg | ℃ | -40～170 | |||
| Paulit-ulit na peak reverse boltahe (max) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Baliktarin ang hindi paulit-ulit na peak voltage (max | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Pasulong na average na kasalukuyang (max) | IF(AV) | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
| Pasulong (hindi paulit-ulit) na surge kasalukuyang (max) | IFSM | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| I²t (max) | ako²t | kA²s | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
| Lakas ng pag-mount | F | kN | 22～24 | 30～35 | 45～50 | 52～57 |
3. Mga katangiang halaga
Talahanayan 4 Max na mga halaga ng katangian
| Karakter at kondisyon | Simbolo | Yunit | Halaga | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Pasulong na pinakamataas na boltaheIFM=5000A, Tj=25℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Baliktarin ang paulit-ulit na peak currentTj=25℃, Tj=170 ℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Thermal resistance Junction-to-case | Rjc | ℃/ W | 0.01 | 0.006 | 0.004 | 0.004 |
| Tandaan: para sa espesyal na pangangailangan mangyaring kumonsulta | ||||||
Angwelding diodena ginawa ng Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor ay malawakang inilalapat sa welder ng paglaban, medium at high frequency welding machine hanggang 2000Hz o mas mataas.Sa isang ultra-low forward peak voltage, ultra-low thermal resistance, state of art na teknolohiya sa paggawa, mahusay na kakayahan sa pagpapalit at matatag na pagganap para sa mga global na gumagamit, ang welding diode mula sa Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor ay ang isa sa pinaka maaasahang device ng China power mga produktong semiconductor.
Oras ng post: Hun-14-2023