Mabilis na Lumipat sa Thyristor

Paglalarawan:

Mabilis na switch thyristor, na may parehong istraktura at simbolo ng phase control thyristor, habang ang mas mahusay na mga static na katangian, lalo na ang mga dynamic na katangian ay kinakailangan ng mataas na dalas ng aplikasyon ng pagwawasto, pagpuputol, inverter at frequency conversion circuit.Ang mga dynamic na parameter ng mabilis na thyristor ay mabilis na turn-on speed at turn-on expansion speed, mas kaunting reverse recovery charge, at maikling turn-off time, mataas na critical rise rate ng on-state current (di/dt) at critical rate ng pagtaas ng off-state na boltahe (dv/dt).Ang na-rate na kasalukuyang ng mabilis na thyristor sa loob ng na-rate na dalas ay hindi bumababa o bumababa nang kaunti kapag tumataas ang dalas.

Ang fast switch thyristor manufacturing standard at processing technology ng RUNAU Electronics ay ipinakilala mula sa USA mula noong 1980s, bilang isang pioneer ng manufacturing thyristor sa China, nakuha ng technical team ng RUNAU ang cutting-edge na kaalaman at sapat na karanasan sa pagmamanupaktura sa loob ng higit sa 30 taon.Sa basic ng tradisyonal na proseso ng pagmamanupaktura, ang mga talent technician ng RUNAU Electronics ay nakabuo ng art-of-state na teknolohiya sa pagmamanupaktura ng thyristor na may mga tampok na kalamangan ng mga produktong European, ang kalidad at pagganap ay lubos na napabuti, mas malaking panalo ang nakamit sa mga power electronics application, at higit na halaga ang nalikha para sa mga kasosyo.

Panimula:

1. Chip

Ang thyristor chip na ginawa ng RUNAU Electronics ay sintered alloying technology na ginagamit.Ang silicon at molibdenum wafer ay sintered para sa alloying ng purong aluminyo (99.999%) sa ilalim ng mataas na vacuum at mataas na temperatura na kapaligiran.Ang pangangasiwa ng mga katangian ng sintering ay ang pangunahing salik na makakaapekto sa kalidad ng thyristor.Ang kaalaman ng RUNAU Electronics bilang karagdagan sa pamamahala sa lalim ng junction ng haluang metal, flatness sa ibabaw, cavity ng haluang metal pati na rin ang buong kasanayan sa pagsasabog, pattern ng bilog ng singsing, espesyal na istraktura ng gate.Ginamit din ang espesyal na pagproseso upang bawasan ang buhay ng carrier ng device, upang ang bilis ng recombination ng panloob na carrier ay lubos na mapabilis, ang reverse recovery charge ng device ay nabawasan, at ang bilis ng paglipat ay napabuti dahil dito.Ang mga naturang sukat ay inilapat upang ma-optimize ang mga katangian ng mabilis na paglipat, mga katangian sa estado, at kasalukuyang pag-aari.Ang pagganap at pagpapatakbo ng pagpapadaloy ng thyristor ay maaasahan at mahusay.

2. Encapsulation

Sa pamamagitan ng mahigpit na pagkontrol sa flatness at parallelism ng molibdenum wafer at panlabas na pakete, ang chip at molibdenum na wafer ay isasama sa panlabas na pakete nang mahigpit at ganap.Ang nasabing ay i-optimize ang paglaban ng kasalukuyang surge at mataas na kasalukuyang short circuit.At ang pagsukat ng teknolohiya ng electron evaporation ay ginamit upang lumikha ng isang makapal na aluminum film sa ibabaw ng silicon wafer, at ang ruthenium layer na naka-plated sa molibdenum surface ay magpapahusay ng thermal fatigue resistance, ang work life time ng fast switch thyristor ay tataas nang malaki.

Teknikal na pagtutukoy

1. Fast switch thyristor na may alloy type chip na gawa ng RUNAU Electronics, range ng I_TAVmula 200A hanggang 4000A at V_DRM/V_RRMmula 1200V hanggang 4500V.
2. I_GT, V_GTat ako_Hay ang mga halaga ng pagsubok sa 25 ℃, maliban kung nakasaad, ang lahat ng iba pang mga parameter ay ang mga halaga ng pagsubok sa ilalim ng T_jm;
3. I²t=ako²F SM×tw/2, tw= Sinusoidal half wave kasalukuyang lapad ng base.Sa 50Hz, I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. Sa 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;ako²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parameter: